Ühise baasiga lülituses toimub transistori tüürimine emittervooluga, st. I_sis = I_e

 

 

Võrreldes teiste lülitustega saadakse suur pingevõimendus ja väikesed mitte-lineaarmoonutused. Puuduseks on väike sisendtakistus (avasuunas olev emittersiirde takistus) ja suur väljundtakistus Mainitud puuduse tõttu on raskusi kirjeldatud lülituses võimendusastmete omavahelise sidestamisega, sest järgneva võimendusastme väikese takistusega sisend koormab tugevalt eelneva võimendusastme väljundit.

Kui sisendpinge muutub ΔUsis võrra, siis emittervool ΔIe võrra ning vastavalt muutvad ka teised voolud. Kooskõlas eelmises punktis toodud valemiga võime kujutada:

I_E + ΔI_E = Ic + ΔI_C + Ib + ΔI_B

Siit järeldub, et

ΔI_E = ΔIe + ΔI_B .

Sisend- ja väljundvoolude muutuste suhet nimetatakse vooluvõimendusteguriks.

Kuna baasivoolu muutus on kollektorvoolu muutusega võrreldes suhteliselt väike, siis a=0,92.. .0,99. Eeltoodud avaldisest lähtudes võime avaldada ka baasivoolu muutuse:

ΔI_B = ΔI_E - ΔI_c , Ic = α ΔI_E ,

järelikult